방사선에 의한 PIN 다이오드 암전류 변화

Abstract

4차 산업 수요가 커지면서 전력반도체에 대한 관심이 커짐에 따라 높은 신뢰성을 요구하며 물리적, 화학적 및 재료특성 등의 다양한 신뢰성 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문은 전력반도체의 한 종류인 SMP1320 PIN 다이오드를 선정하여 방사선 영향에서의 연구를 진행하였다. 진행되는 실험에서는 알파 입자를 방출하는 알파소스 Am-241과 100MeV 양성자 두 종류 방사선을 이용하였다. 두 방사선원에 따라 소프트에러(Soft error)와 하드에러(Hard error)관점을 설명하고, 암전류의 측정을 통하여 방사선원의 영향과 관계를 비교하고 분석한다. 이때 사용되는 측정 장비는 4200-SCS로 역전압 10V에서 진행되며, 측정 시 샘플의 제작 과정과 회로 구성 및 4200-SCS의 소프트웨어 환경 설정 등을 기술한다. 이후 4200-SCS의 다양한 측정을 이용하여 방사 선 영향에 따른 PIN 다이오드의 각종 수치 측정과 변화량을 비교 및 분석을 제안한다.