Repository at Hanyang UniversityGRADUATE SCHOOL[S](대학원)DEPARTMENT OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING(전자공학과)Theses (Master)
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 백상현 | - |
| dc.contributor.author | 전성영 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-27T16:02:22Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-27T16:02:22Z | - |
| dc.date.issued | 2022. 8 | - |
| dc.identifier.uri | http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000626277 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/174180 | - |
| dc.description.abstract | 4차 산업 수요가 커지면서 전력반도체에 대한 관심이 커짐에 따라 높은 신뢰성을 요구하며 물리적, 화학적 및 재료특성 등의 다양한 신뢰성 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문은 전력반도체의 한 종류인 SMP1320 PIN 다이오드를 선정하여 방사선 영향에서의 연구를 진행하였다. 진행되는 실험에서는 알파 입자를 방출하는 알파소스 Am-241과 100MeV 양성자 두 종류 방사선을 이용하였다. 두 방사선원에 따라 소프트에러(Soft error)와 하드에러(Hard error)관점을 설명하고, 암전류의 측정을 통하여 방사선원의 영향과 관계를 비교하고 분석한다. 이때 사용되는 측정 장비는 4200-SCS로 역전압 10V에서 진행되며, 측정 시 샘플의 제작 과정과 회로 구성 및 4200-SCS의 소프트웨어 환경 설정 등을 기술한다. 이후 4200-SCS의 다양한 측정을 이용하여 방사 선 영향에 따른 PIN 다이오드의 각종 수치 측정과 변화량을 비교 및 분석을 제안한다. | - |
| dc.publisher | 한양대학교 | - |
| dc.title | 방사선에 의한 PIN 다이오드 암전류 변화 | - |
| dc.title.alternative | PIN diode dark current change by radiation | - |
| dc.type | Theses | - |
| dc.contributor.googleauthor | 전성영 | - |
| dc.contributor.alternativeauthor | Jeon, Seong Young | - |
| dc.sector.campus | S | - |
| dc.sector.daehak | 대학원 | - |
| dc.sector.department | 전자공학과 | - |
| dc.description.degree | Master | - |
| dc.contributor.affiliation | Integrated Power management ICs Design | - |
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