초고속 디지털 광통신용 1.55μm InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 각종 구조변수들이 광흡수변조기 성능에 미치는 영향을 체계적으로 조사분석하였다. 일반적으로 행하여지는 양자우물 수 Nw, 양자우물 두께 tw, detuning 양 Δλ, 소자길이 L과 같은 구조 파라미터들에 더불어 본 연구에서 새롭게 제안한 SCH 영역내에 n형으로 도핑된 길이 tn가 소자 성능에 미치는 영향을 해석하였다 이를 통해 소자길이 L=100μm의 광흡수변조기에서 구동 전압 Vα=0~-2V 영역에서 동작하고 기초흡수 -1.5dB 이하, -1V에서 -2.92dB 및 -2V에서 -10.0dB 이상의 소광비를 주는 우수한 성능을 갖는 초고속 광흡수 변조기 설계가 가능하였다.