193nm 화학 증폭형 감광제 시뮬레이션을 위한 노광후 지연 효과에 대한 연구

Abstract

193 nm 용 화학 증폭형 감광제(Chemically Amplified Resist)는 노광(Exposure)을 하면 PAG(Photo Acid Generator)에 의해 산이 생성되고 노광 후 열처리 (Post Exposure Bake) 동안 비보호 (deprotection)반응이 일어나게 된다. 그런데 빛에 의해 만들어진 산은 노광을 하고 노광 후 열처리를 하기까지의 지연 시간 동안 확산, 증발, 그리고 대기중 염기와의 중화반응 등에 의해 농도가 변할 수 있다. 노광과 노광 후 열처리뿐만 아니라 노광 후 지연 (Post Exposure Delay)에 의해 변한 산의 농도가 현상 후 최종 선폭에 막대한 영향을 끼치게 된다. 따라서 본 논문에서는 노광 후 지연 시간에 따른 193 nm 용 양성 화학 증폭형 감광제의 투과율과 두께 변화를 측정하여 노광 후 지연 시간에 따른 하수 굴절률을 얻었고, 그 결과를 노광 후 열처리시 비보호 고분자 영역의 농도와 관련시켜 선폭에 미치는 영향을 연구하였으며 자체 제작한 시뮬레이터 LUV(Lithography for Ultra-Violet)에 적용하였다.