GaN HEMT의 안정적 구동을 위한 수직 격자 루프 구조의 기생 인덕턴스 저감 설계 기법

Abstract

본 논문에서는 GaN HEMT의 안정적 구동을 위한 기생 인덕턴스 저감 설계 기법이 제안된다. 기생 인덕턴스 저감을 위해 GaN HEMT의 패키지에 영향을 받지 않는 다중 루프가 적용 된 수직 격자 루프 구조를 제안한다. 제안 된 수직 격자 루프 구조는 기준이 되는 루프를 선정하고 기준 루프와 동일한 루프를 층층이 쌓아 설계한다. 설계 시 인접한 전류 경로의 전류 방향을 반대로 설계하여 자속 상쇄를 증가시켜 보다 많은 기생 인덕턴스를 저감한다. 본 논문에서는 제안한 수직 격자 루프 구조의 기생 인덕턴스의 저감 기법의 유효성을 시뮬레이션과 실험으로 검증한다.