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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 김래영 | - |
| dc.contributor.author | 양시석 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-02-11T03:55:39Z | - |
| dc.date.available | 2020-02-11T03:55:39Z | - |
| dc.date.issued | 2020-02 | - |
| dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/123694 | - |
| dc.identifier.uri | http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000436881 | en_US |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 GaN HEMT의 안정적 구동을 위한 기생 인덕턴스 저감 설계 기법이 제안된다. 기생 인덕턴스 저감을 위해 GaN HEMT의 패키지에 영향을 받지 않는 다중 루프가 적용 된 수직 격자 루프 구조를 제안한다. 제안 된 수직 격자 루프 구조는 기준이 되는 루프를 선정하고 기준 루프와 동일한 루프를 층층이 쌓아 설계한다. 설계 시 인접한 전류 경로의 전류 방향을 반대로 설계하여 자속 상쇄를 증가시켜 보다 많은 기생 인덕턴스를 저감한다. 본 논문에서는 제안한 수직 격자 루프 구조의 기생 인덕턴스의 저감 기법의 유효성을 시뮬레이션과 실험으로 검증한다. | - |
| dc.publisher | 한양대학교 | - |
| dc.title | GaN HEMT의 안정적 구동을 위한 수직 격자 루프 구조의 기생 인덕턴스 저감 설계 기법 | - |
| dc.title.alternative | Parasitic Inductance Reduction Design Method of Vertical Lattice Loop Structure for Stable Driving of GaN HEMT | - |
| dc.type | Theses | - |
| dc.contributor.googleauthor | 양시석 | - |
| dc.contributor.alternativeauthor | SI-SEOK YANG | - |
| dc.sector.campus | S | - |
| dc.sector.daehak | 대학원 | - |
| dc.sector.department | 전기공학과 | - |
| dc.description.degree | Master | - |
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- GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > ELECTRICAL ENGINEERING(전기공학과) > Theses (Master)
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