차세대 전력반도체 GaN HEMT를 적용한 LLC 공진형 컨버터에 관한 연구

Abstract

본 논문은 차세대 전력반도체인 GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) 를 적용한 LLC 공진형 컨버 터에 관한 연구이다 . GaN HEMT 는 기존의 Si MOSFET 와 비교하여 낮은 R DS(on) 과 낮은 게이트전하 Q g 의 특성으로 인한 고속 스위칭에 장 점이 있어 컨버터의 소형화 및 경량화에 유리하다 . 이러한 특성을 이 용하 여 스위칭 주파수 500kHz, 입력전압 400V DC , 출력전력 300W(27V/11.1A) 의 LLC 공진형 컨버터를 설계 및 제작 하고 실험을 진행하였다 . 그 결과 제시한 컨버터의 정상동작을 확인하였고 , 최대 94% 의 효율을 달성하였 다.