Repository at Hanyang UniversityCOLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E](공학대학)ELECTRICAL ENGINEERING(전자공학부)Articles
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차세대 전력반도체 GaN HEMT MOSFET를 이용한 고효율 역률개선회로에 관한 연구
- Title
- 차세대 전력반도체 GaN HEMT MOSFET를 이용한 고효율 역률개선회로에 관한 연구
- Other Titles
- A Study on the high efficiency PFC using GaN HEMT MOSFET
- Author
- 김희준
- Issue Date
- 2015-10
- Publisher
- 대한전기학회
- Citation
- 2015 대한전기학회 전기기기 및 에너지변환시스템부문회 추계학술대회 논문집, Page. 222-225
- Abstract
- 본 논문은 기존의 Si MOSFET을 이용한 역률개선회로에 차세대 전력반도체인 GaN HEMT MOSFET를 적용한 경우, 효율의 우수성을 입증한 연구이다. 가장 일반적인 boost 연속모드 역률개선회로를 대상으로 Si MOSFET와 GaN HEMT MOSFET를 각 각 적용하고, AC 85~265V의 입력전압범위에서 역률 및 효율 등의 성능을 비교하였다. 300W급 역률개선회로를 설계 및 제작하였으며, 실험을 통하여 GaN HEMT MOSFET를 적용한 특성이 Si MOSFET를 적용한 경우보다 우수하다는 것을 입증하였다.
- URI
- http://www.dbpia.co.kr/Journal/ArticleDetail/NODE06597658https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/101753
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