249 0

IGZO 반도체 및 구리 전극의 deep-UV/IPL 광어닐링 공정을 통한 TFT 특성 연구

Title
IGZO 반도체 및 구리 전극의 deep-UV/IPL 광어닐링 공정을 통한 TFT 특성 연구
Other Titles
Study on all intense pulsed light (IPL) annealed thin film transistor (TFT) using IGZO semiconductor and Cu source drain via UV-assisted flash light irradiation
Author
김학성
Issue Date
2019-04
Publisher
대한기계학회
Citation
대한기계학회 재료 및 파괴부문 2019년도 춘계학술대회 논문집, Page. 43-44
URI
http://www.dbpia.co.kr/view/ar_view.asp?arid=4803427https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/110804
Appears in Collections:
COLLEGE OF ENGINEERING[S](공과대학) > MECHANICAL ENGINEERING(기계공학부) > Articles
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE