Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 안지훈 | - |
dc.date.accessioned | 2024-08-09T02:40:22Z | - |
dc.date.available | 2024-08-09T02:40:22Z | - |
dc.date.issued | 2022-10 | - |
dc.identifier.citation | New Physics: Sae Mulli, v. 72, no 10, page. 754-760 | en_US |
dc.identifier.issn | 0374-4914 | en_US |
dc.identifier.issn | 2289-0041 | en_US |
dc.identifier.uri | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE11151030 | en_US |
dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/191481 | - |
dc.description.abstract | The SrRuO3 electrode can improve the dielectric properties of the perovskite structure. Thus, it is the most suitable electrode material for Dynamic Random-Access Memory (DRAM). This study was conducted to investigate the possibility of the SrRuO3 thin film as a transparent conductive oxide (TCO). In this study, an SrRuO3 thin film was deposited on the glass substrates by the RF magnetron sputtering method at room temperature. To observe the difference in optical and electrical properties as per the thin film thickness, the deposition times were set to 5 and 50 min. As the deposition time increased, the film thickness increased from 5 to 68 nm, the optical transmittance decreased from 80% to 40%, and the resistivity (an electrical property) increased from 1.99 to 26.3 mΩ·cm. Consequently, when the SrRuO3 thin films were deposited on the glass substrates for 5 min, a transmittance of about 80% or more, a band gap of 4.57 eV, and a resistivity of 1.99 mΩ·cm were observed, thus verifying that an SrRuO3 electrode can improve the dielectric properties of perovskite. | en_US |
dc.description.abstract | 스트론튬 루세네이트 (SrRuO3)의 전극은 페로브스케이트 구조 유전체의 유전 특성을 향상시킬 수 있어 DRAM (Dynamic Random-Access Memory)에 가장 적합한 전극 재료로 사용되고 있다. 이러한 장점들을 가지고 있는 스트론튬 루세네이트 (SrRuO3) 박막이 투명 전극 (Transparent Conductive Oxide; TCO)으로의 사용 가능성을 확인해 보기 위해 연구하였다. 본 연구에서, 스트론튬 루세네이트 (SrRuO3) 박막을 유리 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 상온에서 증착 하였다. 박막의 두께에 따른 광학적 특성과 전기적 특성을 관찰하기 위하여 증착 시간을 5 분과 50 분으로 설정하여 실험을 진행하였다. 증착 시간이 증가할수록 박막 두께가 5 nm에서 68 nm로 증가하였고 광 투과율이 80%에서 40%로 감소 하였다. 전기적 특성인 비저항은 박막 두께가 증가 하면서 1.99 mΩ·cm 에서 26.3 mΩ·cm 로 증가하였다. 결과적으로, 스트론튬 루세네이트 (SrRuO3) 박막을 유리 기판 위에 5 분 증착 하였을 때, 약 80% 이상의 투과율과 4.57 eV의 밴드 갭, 그리고 1.99 mΩ·cm의 비저항을 보여주었다. | en_US |
dc.description.sponsorship | 이 연구는 2022년도 정부(산업통상자원부)의 재원으로 한국산업기술진흥원의 지원을 받아 수행된 연구(P0012451, 2022년 사업전문인력역량강화사업)입니다. 또한 X-선 광전자 분광기는 동의대학교 융합부품소재 핵심 연구지원센터 장비를 사용하여 수행된 연구입니다. | en_US |
dc.language | ko | en_US |
dc.publisher | Korean Physical Society | en_US |
dc.relation.ispartofseries | v. 72, no 10;754-760 | - |
dc.subject | RF 마그네트론 스퍼터링 | en_US |
dc.subject | 스트론튬 루세네이트 (SrRuO3) | en_US |
dc.subject | 박막 | en_US |
dc.subject | 페로브스케이트 | en_US |
dc.subject | 투명 전극 | en_US |
dc.subject | RF Magnetron Sputtering | en_US |
dc.subject | SrRuO3 | en_US |
dc.subject | Thin film | en_US |
dc.subject | Perovskite | en_US |
dc.subject | Transparent Conductive Oxide | en_US |
dc.title | Thickness-dependent the Optical and Electrical Properties of Amorphous Transparent Conductive SrRuO3 Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering on Glass Substrate | en_US |
dc.title.alternative | 유리 기판에서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 비정질 투명전극 스트론튬 루세네이트 박막 두께에 따른 광학 및 전기적 특성 | en_US |
dc.type | Article | en_US |
dc.relation.no | 10 | - |
dc.relation.volume | 72 | - |
dc.identifier.doi | 10.3938/NPSM.72.754 | en_US |
dc.relation.page | 754-760 | - |
dc.relation.journal | New Physics: Sae Mulli | - |
dc.contributor.googleauthor | 방효진 | - |
dc.contributor.googleauthor | 김현민 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이종훈 | - |
dc.contributor.googleauthor | 안지훈 | - |
dc.contributor.googleauthor | 김홍승 | - |
dc.relation.code | 2022022098 | - |
dc.sector.campus | E | - |
dc.sector.daehak | COLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E] | - |
dc.sector.department | DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE AND CHEMICAL ENGINEERING | - |
dc.identifier.pid | ajh1820 | - |
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