열 중성자에 의한 디램의 쓰기 회복 시간 저하

Abstract

메모리가 발전하며 셀의 크기는 점점 작아지고 집적도는 높아짐에 따라 더 높은 신뢰성을 요구하게 된다. 특히 자율주행자동차와 같은 4차 산업이 커지면서 신뢰성은 더욱 중요해지고 있다. 디램이 발전함에 따라 자연상태에 존재하는 방사선에 대해서도 영향을 많이 받을 수 있게 되었다. 그 중 열 중성자는 그 자체로는 에너지가 매우 낮아 메모리에 직접적인 영향을 주지 못하지만, 디램의 공정 중에 사용되는 보론과 반응하여 2차 입자인 리튬과 알파를 발생시킬 수 있다. 이는 높은 에너지를 가지고 있어 디램에 악영향을 줄 수 있다. 디램의 열 중성자 신뢰성 연구는 다양하게 이루어지고 있으나 대부분은 소프트 에러 테스트, 셀의 유지시간 테스트 등에 대한 실험들이며 이에 대한 논문들은 거의 대부분 같은 테스트 방식을 사용하고 있다. 본 논문에서는 디램 셀에 데이터가 저장될 때까지 걸리는 시간을 측정하는 새로운 테스트 방법을 제시하여 디램 동작 중 쓰기 단계에서도 에러가 발생할 수 있다는 것을 보여준다. 또한 이를 분석하여 방사선에 의해 손상을 받은 셀의 전류가 어느 정도까지 저하가 되었는지 분석하는 방법을 제안한다.