206 0

Full metadata record

DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author심종인-
dc.date.accessioned2021-07-21T04:39:03Z-
dc.date.available2021-07-21T04:39:03Z-
dc.date.issued2000-09-
dc.identifier.citation전자공학교육연구회지, v. 37, no .9, page. 78-85en_US
dc.identifier.issn1229-6368-
dc.identifier.urihttps://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE00404797-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/162854-
dc.description.abstract본 논문에서는 고속 VLSI 회로 내의 전송선에서 발생하는 전달지연시간을 계산하는 해석적 모델을 제시하고 그 모델의 정확성을 실험적으로 검증한다. 새로 제시한 모델은 표피효과, 근접효과, 그리고 실리콘 기판에 의한 전송선 파라미터 변화를 고려하기때문에 이들 영향을 반영한 새로운 인터커넥트 회로모델에 대하여 새로운 연결선에서의 신호지연을 해석이 가능하다.en_US
dc.language.isoko_KRen_US
dc.publisher대한전자공학회en_US
dc.title연결선에 기인한 시간지연의 정확한 모델 및 실험적 검증en_US
dc.title.alternativeA New Accurate Interconnect Delay Model and Its Experiment Verificationen_US
dc.typeArticleen_US
dc.relation.journal전자공학교육연구회지-
dc.contributor.googleauthor윤성태-
dc.contributor.googleauthor어영선-
dc.contributor.googleauthor심종인-
dc.relation.code2012101085-
dc.sector.campusE-
dc.sector.daehakCOLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E]-
dc.sector.departmentDEPARTMENT OF PHOTONICS AND NANOELECTRONICS-
dc.identifier.pidjishim-


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE