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dc.contributor.author심종인-
dc.date.accessioned2021-01-15T01:04:43Z-
dc.date.available2021-01-15T01:04:43Z-
dc.date.issued2002-06-
dc.identifier.citation새물리, v. 44, no. 6, page. 342-351en_US
dc.identifier.issn0374-4914-
dc.identifier.issn2289-0041-
dc.identifier.urihttps://www.npsm-kps.org/journal/view.html?uid=1879&vmd=Full-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/157048-
dc.description.abstract최근 모드 크기 변환기가 집적된 진행파형 반도체 광증폭기(SSC-TW-SOA)가 광섬유와의 광결합효율 향상 및 패키지의 저가격화를 위해서 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 모드 크기 변환기구조가 유효단면반사율에 미치는 영향을 이론적 및 실험적으로 연구하였다. SSC-TW-SOA의 유효반사율을 낮추기 위하여 모드 크기 변환기 영역의 충분한 모드 변환과 더불어 기운 단면구조가 매우 효과적임을 알 수가 있었다. 제작된 SSC-TW-SOA에 20μm 길이의 창구조, 7˚ 기운단면, 1%의 무반사 코팅을 도임함으로써 0.1 dB 이하의 작은 이득 흔들림, 26 dB의 광섬유간 이득, 7dBm의 포화 출력 등의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.en_US
dc.description.sponsorship본 연구는 한양대학교 교내 지원금에 의하여 수행된 것임.en_US
dc.language.isoko_KRen_US
dc.publisher한국물리학회en_US
dc.subject반도체 광증폭기en_US
dc.subject단면 반사율en_US
dc.title모드 크기 변환기가 집적된 반도체 광증폭기에서의 단면구조가 반사율에 미치는 영향en_US
dc.title.alternativeFacet Reflectivity of a Spot-Size-Converter Integrated Semiconductor Optical Amplifieen_US
dc.typeArticleen_US
dc.relation.journal새물리-
dc.contributor.googleauthor김귀영-
dc.contributor.googleauthor심종인-
dc.contributor.googleauthor김동철-
dc.contributor.googleauthor어영선-
dc.relation.code2012100727-
dc.sector.campusE-
dc.sector.daehakCOLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E]-
dc.sector.departmentDEPARTMENT OF PHOTONICS AND NANOELECTRONICS-
dc.identifier.pidjishim-


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