초박형 플래시 메모리 칩의 파괴강도 특성에 관한 연구

Abstract

최근 들어, 35 m 이하의 고성능, 초박형 반도체 칩이 개발되고 있다. 높은 데이터 처리량과 신뢰성 있는 전자 장비를 만들기 위해서는 초박형 칩의 기계적 특성을 정확하게 평가하는 것이 필수적이다. 본 연구에서는, 볼온링 실험을 통해 초박형 플래시 메모리 칩의 파괴강도 특성에 관한 연구를 수행하였다. 또한, 볼온링 실험을 통해 측정된 파괴강도의 타당성을 평가하기 위하여 유한요소 해석법이 수행되었으며 Hertzian 접촉이론을 기반으로 한 실험값과 비교하였다. 웨이퍼 초박화 변수에 따라서 플래시 메모리 칩을 제작하여 강도 특성 평가를 수행하였다. 플래시 메모리 칩 내부에 존재하는 잔류응력 측정을 위하여 Raman spectroscopy가 수행되었다. 또한, 웨이퍼 초박화 변수에 따른 표면 거칠기 측정을 위해서 AFM이 수행되었다. 본 연구를 통해, 웨이퍼 초박화 변수에 따른 초박형 칩의 파괴강도 특성 및 파괴거동을 확립하였다.