전이선세기비 측정법을 이용한 헬륨 플라즈마의 진단

Abstract

광탈출계수의 형태로 방출포획효과가 고려된 충돌-방사 모델(collisional-radiative model, CR-model)을 이용하여 I(728.1nm)/I(706.5nm)와 I(667.8nm)/I(728.1nm)의 전이선 세기비를 계산했다. n=20까지 총 59개의 에너지 준위가 계산에 포함되었다. 바닥상태의 밀도는 공간에 따라 일정하고 여기준위의 밀도는 가우시안 함수의 모양을 갖는다는 가정을 통해 광탈출계수를 계산하였다. 광탈출계수에 의한 효과는 전이선의 아랫상태의 밀도가 높을수록 커지기 때문에 아랫상태의 밀도가 높은 전이선의 광탈출계수부터 순차적으로 계산을 하였다. DiPS(diversified plasma simulator)내부에서 생성된 플라즈마의 전이선 세기비를 측정했고, 광탈출계수가 포함된 충돌-방사 모델을 이용하여 플라즈마의 전자온도와 전자밀도를 진단하였다. 진단된 전자온도와 전자밀도를 전기탐침으로 측정된 전자온도와 전자밀도를 비교하였다.