Hot-pressing 후처리가 실리콘-아연-산화물 박막 트랜지스터의 특성에 미치는 영향

Abstract

Hot-pressing은 터치패널(touch panel)에 사용되는 탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT) 및 그래핀(graphene)의 컨택 저항(contact resistance) 향상 및 산화아연(Zinc Oxide, ZnO) 기반 전계 효과 트랜지스터(Field-Effect Transistor, FET) 의 전극(electrode)과 활성층(active layer)의 컨택 저항을 향상시키기 위해 사용되고 있다. 본 연구에서는 산화실리콘아연(Silicon Zinc Oxide, SZO) 박막 및 이를 이용한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)에 대하여 hot-pressing 열처리 효과에 대한 연구를 수행하였다. 산화아연 타겟(target)과 실리콘 타겟(target)을 사용하여 마그네트론 듀얼 건 스퍼터링(magnetron dual gun sputtering, co-sputtering)방법으로 실리콘이 도핑된 산화아연 박막(SZO)을 증착하였으며, SZO 박막에 hot-pressing 후처리를 한 후 구조적, 화학적 결합 및 광학적 특성의 변화를 분석하였으며 hot-pressing에 따른 SZO TFT의 전속 특성(transfer characteristic) 변화를 분석 하였다.