본 연구에서는 센서의 base 물질로 실리콘 나노선을 사용하였다. 실리콘 나노선의 합성 방법은 여러 가지 접근법에 의하여 활발히 연구되어 왔다. 그 중 모양 및 특성제어 측면에서 유리한 CVD 공법을 주로 채택하고자 하였으나 CVD 공법은 금속촉매의 적용, 고진공 CVD chamber의 사용 등, 고비용 고난이도 기술이 필요로 하여 비교적 저비용, 대량생산이 가능한 wet etch 공법을 적용하였다. 실제로 단일 나노선을 센서로 사용한다면 CVD등에 의한 정밀 제어가 필요할 수 있지만 다발 나노선의 박막형태 등이 센서작용에 현실적인 최종결과물의 양태가 될 수 있으므로 wet 제조법의 사용이 더 적절한 기술이 될 수 있다고 생각 되어 wet etch 공법으로 진행을 하였다.