Repository at Hanyang UniversityGRADUATE SCHOOL[S](대학원)ELECTRONICS AND COMPUTER ENGINEERING(전자컴퓨터통신공학과)Theses (Master)
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TiO2 중공 구 단일 층/p-Si 기반 UV photodetector 제작 및 특성평가
- Title
- TiO2 중공 구 단일 층/p-Si 기반 UV photodetector 제작 및 특성평가
- Other Titles
- Fabrication and characterization of ultraviolet photodetector using hollow TiO2 spheres monolayer/p-Si
- Author
- 유지연
- Advisor(s)
- 박진섭
- Issue Date
- 2020-02
- Publisher
- 한양대학교
- Degree
- Master
- Abstract
- 본 논문에서는 자외선 대역의 흡수가 가능한 넓은 밴드갭을 가진 금속 산화물인 TiO2 물질을 활용하여 UV photodetector를 제작 및 특성 평가를 진행하였다. UV photodetector의 성능 향상을 위하여 TiO2를 중공 구 형태로 합성하였으며 단방향 러빙 방법을 통해 단일 층으로 p-Si 기판 위에 전사하였다. 각기 다른 크기의 세 가지 샘플을 만들어 중공 구 형태의 나노 구조에서 확인 할 수 있는 size effect 를 기반으로 하여 n-TiO2/p-Si UV photodetector의 특성 확인을 위한 측정 및 분석을 진행하였다.
- URI
- https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/123768http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000437120
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