Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 심광보 | - |
dc.date.accessioned | 2019-11-22T07:13:50Z | - |
dc.date.available | 2019-11-22T07:13:50Z | - |
dc.date.issued | 2017-04 | - |
dc.identifier.citation | 한국결정성장학회지, v. 27, no. 2, page. 89-93 | en_US |
dc.identifier.issn | 1225-1429 | - |
dc.identifier.issn | 2234-5078 | - |
dc.identifier.uri | http://koreascience.or.kr/article/JAKO201716556449819.page | - |
dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/113641 | - |
dc.description.abstract | 다양한 성장온도, V/III 비율, 성장속도과 같은 공정변수의 조절을 통하여 GaN 단결정을 성장시키고, 그에 따른표면 및 재료 내부의 결함분석을 통하여 고휘도 ·고출력의 소자적용을 위한 bulk GaN 단결정의 두께를 최적화하였다. 2인치 직경의 sapphire 기판 위에 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 공정변수들을 조절하여, 0.3~7.0 mm 두께의 GaN 결정을성장시켰다. 성장된 GaN 단결정의 구조분석을 위하여 XRD 분석을 사용하였고, 공정변수의 변화에 따른 표면 특성은 광학현미경을 이용하여 관찰하였다. 성장된 두께에 따른 결함밀도 분석을 위하여 화학습식 에칭하였고, 에칭된 표면을 SEM으로 관찰하였다.GaN single crystals were grown by controlling of various processing parameters such as growing temperature, V/III ratio and growing rate. We optimized thickness of bulk GaN single crystal by analyzing defect of surface and inside of the GaN single crystal for application to high brightness and power device. 2-inch bulk GaN single crystals were grown by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) on sapphire and their thickness was 0.3~7.0 mm. Crystal structure of the grown bulk GaN was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface characteristics of the grown bulk GaN were observed by OM (optical microscope) and SEM (scanning electron microscopy) with measuring EPD (etch pits density) of the GaN crystals. | en_US |
dc.description.sponsorship | 본 연구는 산업통상자원부에서 주관하는 소재원천기술 개발사업(과제번호: 10041188)과 ( 주)에임즈마이크론과 한양대학교 산학협력단과의 산학공동 연구과제(과제번호: 201600000002413)로 수행되었습니다. | en_US |
dc.language.iso | ko_KR | en_US |
dc.publisher | 한국결정성장학회 | en_US |
dc.subject | HVPE | en_US |
dc.subject | GaN | en_US |
dc.subject | Dislocation density | en_US |
dc.subject | Hexagonal V-pit | en_US |
dc.title | HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화 | en_US |
dc.title.alternative | Thickness optimization of the bulk GaN single crystal grown by HVPE processing variable control | en_US |
dc.type | Article | en_US |
dc.relation.no | 2 | - |
dc.relation.volume | 27 | - |
dc.identifier.doi | 10.6111/JKCGCT.2017.27.2.089 | - |
dc.relation.page | 89-93 | - |
dc.relation.journal | 한국결정성장학회지 | - |
dc.contributor.googleauthor | 박재화 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이희애 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이주형 | - |
dc.contributor.googleauthor | 박철우 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이정훈 | - |
dc.contributor.googleauthor | 강효상 | - |
dc.contributor.googleauthor | 강석현 | - |
dc.contributor.googleauthor | 방신영 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이성국 | - |
dc.contributor.googleauthor | 심광보 | - |
dc.contributor.googleauthor | Park, Jae Hwa | - |
dc.contributor.googleauthor | Lee, Hee Ae | - |
dc.contributor.googleauthor | Lee, Joo Hyung | - |
dc.contributor.googleauthor | Park, Cheol Woo | - |
dc.contributor.googleauthor | Lee, Jung Hun | - |
dc.contributor.googleauthor | Kang, Hyo Sang | - |
dc.contributor.googleauthor | Kang, Suk Hyun | - |
dc.contributor.googleauthor | Bang, Sin Young | - |
dc.contributor.googleauthor | Lee, Seong Kuk | - |
dc.contributor.googleauthor | Shim, Kwang Bo | - |
dc.relation.code | 2017019075 | - |
dc.sector.campus | S | - |
dc.sector.daehak | COLLEGE OF ENGINEERING[S] | - |
dc.sector.department | DIVISION OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING | - |
dc.identifier.pid | kbshim | - |
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