반도체 기술의 발달은 모든 반도체 회로의 집적도를 향상시켜 제조 비용을 감소시켰다. 하지만, 점차 작아지는 폼 팩터에 의해 새로운 문제들이 대두되었으며, 이에 따른 해결책들도 연구되고 있다. 특히, 반도체 회로에서 가장 많은 부분을 차지하는 메모리는 낮아진 수율을 극복하기위해 여분의 메모리를 사용하여 고장난 메모리를 수리하는 BISR(Buint-In Self Repair)기술이 개발되었고, 저장된 데이터의 신뢰성을 보장하기위한 ECC(Error Correction Code)기술들이 개발되었다. 본 논문에서는 BISR에서 수리 이후 버려지는 여분의 메모리를 활용하여 ECC의 성능을 향상시키는 방법을 제안하고, 향상되는 성능을 비교하고자 한다.