Repository at Hanyang UniversityCOLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E](공학대학)ELECTRICAL ENGINEERING(전자공학부)Articles
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오재응 | - |
| dc.date.accessioned | 2023-07-10T01:18:34Z | - |
| dc.date.available | 2023-07-10T01:18:34Z | - |
| dc.date.issued | 2006-07 | - |
| dc.identifier.citation | 새물리, v. 53, NO. 1, Page. 34-38 | - |
| dc.identifier.issn | 0374-4914;2289-0041 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.kci.go.kr/kciportal/ci/sereArticleSearch/ciSereArtiView.kci?sereArticleSearchBean.artiId=ART001019131 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/182745 | - |
| dc.description.abstract | Molecular Beam Epitaxy 법을 이용하여 Si(001) 기판 위에 저온에서 성장된 얇은 AlSb 완충층을 사용하여 GaSb박막을 성장하였다. AlSb 완충층의 표면 및 격자상수 변화와 성장된 GaSb 박막의 결정성을 평가하기 위하여 reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscope, high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscope를 각각 사용하였다. AlSb 완충층 없이 직접 GaSb박막을 성장하였을 때 3차원 성장을 보였지만 저온의 얇은 AlSb 완충층을 사용하였을 때 Si과 GaSb의 접합계면에서의 결함을 줄여주어 GaSb 박막의 결정성 향상에 기여함을 확인하였다. 초기 성장 시 Si(001)위에 Sb 흡착을 했을 때가 안 했을 때 보다 GaSb 박막의 결정성이 더 좋음을 아울러 확인하였다. | - |
| dc.language | ko | - |
| dc.publisher | 한국물리학회 | - |
| dc.title | 얇은 AlSb 완충층을 사용한 GaSb/Si(001) 박막평가 | - |
| dc.title.alternative | Dependence of thin AlSb buffer of GaSb/Si(001) | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.relation.no | 1 | - |
| dc.relation.volume | 53 | - |
| dc.relation.page | 34-38 | - |
| dc.relation.journal | 새물리 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 노영균 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 김문덕 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 권영진 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 김송강 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 김영헌 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 박세린 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 오재응 | - |
| dc.contributor.googleauthor | 이정용 | - |
| dc.sector.campus | E | - |
| dc.sector.daehak | 공학대학 | - |
| dc.sector.department | 전자공학부 | - |
| dc.identifier.pid | joh | - |
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