본 논문은 Wide Bandgap 전력 반도체를 위한 넓 은 전류 도통 영역을 가진 전력 회로 보드의 파워 루프 인덕턴스 해석 기법을 제안한다. 해석을 위해 전류가 흐르는 기준 Point를 찾아 PCB Plane을 Modeling한다. Modeling된 회로는 Spice Simulation 결과와 Q3D 결과를 비교하여 검증한다. 마지 막으로 Plane을 DPT(Double Pulse Test)회로와 Matching하여 전류의 변화량이 큰 인덕턴스의 분포를 통해 Wide Bandgap 전력반도체를 위한 효과적 자속상쇄 방법을 확인한다.