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dc.contributor.author어영선-
dc.date.accessioned2021-02-18T05:44:09Z-
dc.date.available2021-02-18T05:44:09Z-
dc.date.issued2001-02-
dc.identifier.citation한국광학회지, v. 12, no. 1, page. 40-47en_US
dc.identifier.issn1225-6285-
dc.identifier.urihttps://scienceon.kisti.re.kr/srch/selectPORSrchArticle.do?cn=JAKO200111920750354-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/158727-
dc.description.abstract초고속 디지털 광통신용 1.55μm InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 각종 구조변수들이 광흡수변조기 성능에 미치는 영향을 체계적으로 조사분석하였다. 일반적으로 행하여지는 양자우물 수 Nw, 양자우물 두께 tw, detuning 양 Δλ, 소자길이 L과 같은 구조 파라미터들에 더불어 본 연구에서 새롭게 제안한 SCH 영역내에 n형으로 도핑된 길이 tn가 소자 성능에 미치는 영향을 해석하였다 이를 통해 소자길이 L=100μm의 광흡수변조기에서 구동 전압 Vα=0~-2V 영역에서 동작하고 기초흡수 -1.5dB 이하, -1V에서 -2.92dB 및 -2V에서 -10.0dB 이상의 소광비를 주는 우수한 성능을 갖는 초고속 광흡수 변조기 설계가 가능하였다.en_US
dc.language.isoko_KRen_US
dc.publisher한국광학회en_US
dc.subjectOE.020en_US
dc.subjectOE.050en_US
dc.title1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP MQW 광흡수 변조기에서 구조변수가 소광특성에 미치는 영향en_US
dc.title.alternativeStructural dependences of the extinction ratio in an 1.55 ㎛ InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well electro-absorption modulatoren_US
dc.typeArticleen_US
dc.relation.journal한국광학회지-
dc.contributor.googleauthor민영선-
dc.contributor.googleauthor심종인-
dc.contributor.googleauthor어영선-
dc.relation.code2012101369-
dc.sector.campusE-
dc.sector.daehakCOLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E]-
dc.sector.departmentDIVISION OF ELECTRICAL ENGINEERING-
dc.identifier.pideo-
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COLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E](공학대학) > ELECTRICAL ENGINEERING(전자공학부) > Articles
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