거친 표면을 가진 흡수체와 버퍼의 측면에 의한 극자외선 산란효과

Abstract

마스크 상의 거친 표면을 정의하기 위해서 Monte-Carlo 방법이 적용되었다. 극자외선 마스크의 거친 표면 함수, 즉 power spectral density 에 의해 표현된 무작위적인 표면의 높이 변화는 상면에서의 전기장을 계산하기 위해서 재정의 되었다. Feynmann의 접근 방식과 유사한 산란에 대한 일반식을 유도하였고, 이는 결상과정에서 마스크의 단차상의 거친 측면의 의한 효과를 알아보기 위해서 적용되어졌다. 거친 표면과 완전히 편평한 표면에 대한 전기장의 위상과 진폭 변화 정도를 비교하기 위해서 다중 산란 문제 또한 여러 다른 패턴에 대하여 이 논문에서 다뤄졌다. Abstract The Monte-Carlo Method is adopted to define the roughness of the mask structure. A random surface height variation described by power spectral density for the rough surfaces of an extreme ultraviolet (EUV) mask is to be redefined to calculate the field in the image plane. A general explicit formula of the scattering, which is analogous to Feynman's approach, is derived, and it is adapted to the EUV mask structure to evaluate the effect of the surface roughness of the side wall of the mask topography on the image formation. The multiple random scattering problems are dealt with the different pattern types in order to compare field variations in phase and amplitude with the ideal flat surface.