Repository at Hanyang UniversityCOLLEGE OF ENGINEERING SCIENCES[E](공학대학)MATERIALS SCIENCE AND CHEMICAL ENGINEERING(재료화학공학과)Articles
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CMP 공정중 전기화학적 방법과 마찰력을 이용하여 Cu Wafer와 Disc의 특성 비교
- Title
- CMP 공정중 전기화학적 방법과 마찰력을 이용하여 Cu Wafer와 Disc의 특성 비교
- Other Titles
- Comparison of Cu wafer and Disc using the electrochemical and Friction method during the CMP
- Author
- 박진구
- Keywords
- CMP; Cu wafer; Cu disc; Removal rate
- Issue Date
- 2004-07
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Citation
- 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집, v. 5, No.2, Page.1300-1303
- Abstract
- Copper는 낮은 저항률과 높은 Electromigration 저항 때문에 반도체 소자에 배선 재료로 사용된다. CMP 공정을 이용 하여 Cu wafer의 여러 가지 특성을 파악하기에는 wafer의 소모량이 많고 고가가의 비용이 예상 되므로, 본 논문에서는 비용절감을 위하여 wafer를 Disc로 대체 하고자 실험을 진행 하였고 Cu wafer와 Disc의 비료 방법은 우선 PM-5 (Genitech. co) 장비를 이용하여 removal rate의 차이점을 알 아 보았으며, 서로의 etch rate을 reomval rate과 비교하였다. EG&G 273A를 통하여 Cu wafer와 disc의 corrosion potential과 Rp (Polarization resistance)값을 서로 비교 하였다. 이 논문에서는 이러한 것들을 서로 비교 하여, Cu wafer와 disc에서의 상관관계를 알고자 하였으며, 만약에 Cu wafer와 disc의 특성이 비슷하다면, Cu wafer 대신에 disc를 이용 하여 실험하여도 되는지에 관하여 조사 하였다.
- URI
- https://scienceon.kisti.re.kr/srch/selectPORSrchArticle.do?cn=NPAP08119719&dbt=NPAPhttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/151348
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