MgB2 초전도체 소결 특성에 미치는 SiC, C60 와 C-Nano-Tube 미량 첨가의 영향

Abstract

MgB2 분말에 SiC, C60, C-Nano-Tube를 각각 3, 5, 10wt% 첨가하여 혼합한 후에 내경 4.0mm 의 순철관에 ex-situ PIT(powder in tube) 법으로 넣고 봉입하여 swaging으로 2.4mm 의 선재를 제조하여 Ar 분위기에서 873K 에서 1 시간 소결하여 시편을 제조하였다. 각 시편을 Ic-B-T 측정장비고 임계전류 밀도(Jc)를 측정하고 SEM 으로 미세조직을 관찰하여 상호관계를 조사하였다. MgB2 에 미량의 doping에 의하여 3K ~20K 의 온도범위에서 0T~5T의 자장범위에서 임계전류밀도와 피닝 효과를 조사하였으나 doping 에 의한 피닝효과가 나타나지 않았다. 소결 중에 B와 C 원자의 치환이 충분히 이루어 지지 않았고, 산소(O)에 의한 Mg의 산화로 MgO 가 형성되었기 때문이라고 사료된다.