전자빔 리소그래피에서의 레지스트 내부 에너지 분포에 대한 전산모사 프로그램의 제작

Abstract

전자소자의 집적화에 대한 계속적인 요구를 해결할 수 있는 반도체 소자 미세 패턴 제작의 핵심은 lithography 기술이다. 여러 가지 패턴형성 방법 중에 가장 강력한 나노패터닝 기술인 electron beam lithography 방법의 경우 복잡하고 반복적인 전자와 resist 구성 원자의 산란을 고려해야 하므로 최종적인 패턴의 정확한 예측 및 노광 조건의 최적화에 힘든 문제가 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 보완할 수 있는 Monte Carlo method를 이용하여 electron beam lithography 에서의 resist 내부 에너지 분포 형상에 대한 전산모사 프로그램을 제작하였다. 결과로서 전자빔의 가속전압, 전자빔의 입사량, 기판과 기판위에 입혀진 resist 구성 원자의 종류 및 밀도에 따른 resist 내부 에너지 분포의 변화를 알 수 있었다.