Repository at Hanyang UniversityCOLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E](과학기술융합대학)APPLIED PHYSICS(응용물리학과)Articles
275
0
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정희준 | - |
| dc.date.accessioned | 2019-05-21T23:44:13Z | - |
| dc.date.available | 2019-05-21T23:44:13Z | - |
| dc.date.issued | 2008-12 | - |
| dc.identifier.citation | 이학기술연구지, v. 12, Page. 3-7 | en_US |
| dc.identifier.issn | 2005-9051 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.earticle.net/Article/A106278 | - |
| dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/105190 | - |
| dc.description.abstract | Nanowire 구조에서 noise는 전기적인 소자에 대한 응용에 있어서 해결해야할 중요한 문제이다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 단결정과 다결정 구조의 GaN nanowire를 이용한 전계효과 트랜지스터를 각각 제작하여 GaN nanowire의 저주파 noise 특성을 분석하였다. 저주파에서는 1/f noise와 Generation-recombination (G-R) noise를 확인 할 수 있었으며, 1/fα noise 기울기 α 값의 분석을 통하여, 1/f noise의 기울기가 1.8 - 2.1 까지 drain 전압에 따라 증가하는 경향이 있음을 알게 되었으며, 또한 단결정 GaN nanowire는 다결정에 비하여 저주파에서 noise fluctuation이 발생하는 것이 관찰되었다. | en_US |
| dc.language.iso | ko_KR | en_US |
| dc.publisher | 한양대학교 이학기술연구소 | en_US |
| dc.title | 단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성 | en_US |
| dc.title.alternative | Low Frequency Noise Characteristics of Single-and Poly Crystalline GaN Nanowire | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.relation.journal | 이학기술연구지 | - |
| dc.contributor.googleauthor | Kim, Dongwoo | - |
| dc.contributor.googleauthor | Jeong, Heejun | - |
| dc.relation.code | 2012101941 | - |
| dc.sector.campus | E | - |
| dc.sector.daehak | COLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E] | - |
| dc.sector.department | DEPARTMENT OF APPLIED PHYSICS | - |
| dc.identifier.pid | hjeong | - |
- Appears in Collections:
- COLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E](과학기술융합대학) > APPLIED PHYSICS(응용물리학과) > Articles
- Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
