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dc.contributor.advisor최덕균-
dc.contributor.author김종운-
dc.date.accessioned2019-02-28T03:01:28Z-
dc.date.available2019-02-28T03:01:28Z-
dc.date.issued2019-02-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/99373-
dc.identifier.urihttp://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000434477en_US
dc.description.abstract최근, 인간과 디스플레이 간의 상호 정보전달의 필요성이 급증하면서, 이를 위해 디스플레이 백플레인 내부에 탑재되어야 하는 트렌지스터를 비롯한 많은 소자, 특히 센서에 대한 연구가 많은 관심을 끌고 있다. 그 중 다이오드는 여러 가지 기능의 센서로 많이 응용되고 있으며. 특히, 투명하며 낮은 누설전류를 갖는 산화물 반도체의 장점을 이용한 산화물 다이오드에 연구가 여러 연구자에 의해 보고되고 있다. 그 중에서, 금속/산화물 반도체/절연체/금속 (MOIM) 의 구조를 가지며 후속 열처리 공정을 통해 활성화되어 정류현상을 보이는 산화물 투명 다이오드는 기존에 보고된 p-n 접합, 금속-반도체 (MS) 쇼트키 접합 형성에 의한 정류 특성이 아닌 산화물 반도체와 절연체 사이의 새로운 계면층 형성에 의한 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 ITO/a-IGZO/SiO2/ITO (MOIM) 구조의 소자를 제조한 후 후속 열처리 공정없이 상온, 상압, 대기 분위기에서 DUV 조사만으로 정류 특성을 발현할 수 있는 다이오드를 제작하였다. 특히, DUV를 60 J/cm2 조사 하였을 때 다이오드의 전기적 특성은 후속 열처리한 다이오드와 차이가 없이 낮은 누설 전류 (10-8 ~ 10-9 A/cm2) 및 높은 정류 비 (>108)를 나타내는 것을 확인하였다. 본 연구에서는 DUV 조사만으로 정류 특성이 나타나는 원인을 모델 실험 및 분석을 통해 확인하였으며, 이 결과를 바탕으로 정류 현상이 나타날 수 있는 메커니즘을 밴드 다이어그램을 통해 제안하였다.-
dc.description.abstractRecently, the necessity of mutual information transmission between human and display is rapidly increasing, and therefore research on many devices including transistors, especially a sensor, which needs to be mounted inside the display back-plane, is attracting much attention. Among the devices, diode is widely applied to functional sensors. Particularly, several researchers have reported research on oxide diodes which have the advantages of oxide semiconductors with transparent and low leakage current. Among them, transparent oxide diodes which have a structure of metal/oxide semiconductor/ insulator/metal (MOIM) and show rectifying behavior by post annealing process due to formation of interlayer between oxide semiconductor and insulator. In this paper, we have fabricated the structure of ITO/a-IGZO/SiO2/ITO which shows rectifying behavior by only DUV irradiation (wavelength of 185 and 254 nm) at room temperature, atmospheric pressure and air ambient without post annealing. Especially, when the DUV is irradiated at 60 J/cm2, the diode shows low leakage current (10-8 ~ 10-9 A/cm2) and high rectifying ratio (>108), similar to the diode with post annealing process. In this study, we confirmed the reason rectifying behavior is occurred by DUV irradiation through various experiments and analyzes. Based on the result, we propose a mechanism of rectifying behavior through band diagram.-
dc.publisher한양대학교-
dc.titleDUV 조사에 의한 산화물/절연체 투명 다이오드의 정류 현상-
dc.title.alternativeDUV irradiation driven rectifying behavior of oxide semiconductor/insulator coupled transparent diode-
dc.typeTheses-
dc.contributor.googleauthor김종운-
dc.contributor.alternativeauthorKIM, JONGUN-
dc.sector.campusS-
dc.sector.daehak대학원-
dc.sector.department신소재공학과-
dc.description.degreeMaster-
dc.contributor.affiliation박막 전자재료-
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GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING(신소재공학과) > Theses (Master)
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