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dc.contributor.author원유집-
dc.date.accessioned2018-06-07T06:28:25Z-
dc.date.available2018-06-07T06:28:25Z-
dc.date.issued2016-06-
dc.identifier.citation한국정보과학회 2016년 한국컴퓨터종합학술대회 논문집, Page. 1478-1479en_US
dc.identifier.issn2466-0825-
dc.identifier.urihttp://www.dbpia.co.kr/Journal/ArticleDetail/NODE07017879-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/71895-
dc.description.abstract프로세스가 생성한 영속객체를 비휘발성 메모리에 저장함으로써, 비휘발성 메모리의 낮은 입출력 지연을 이용하여 영속 객체를 생성 및 관리할 수 있다. 그러나 비휘발성 메모리는 낸드 플래시 메모리 또는 하드디스크에 비하여 적은 용량을 갖는 제약이 있다. 본 논문에서는 낸드 플래시 메모리를 비휘발성 메모리의 스왑 영역으로 사용함으로써 프로세스가 생성할 수 있는 영속 객체의 총 용량을 확장한다. 스왑영역으로 옮길 희생 영속객체를 선택하는 UFLRU (Unmapped-object First LRU)알고리즘을 개발하였으며, CFLRU 알고리즘 대비 약 15%의 성능 향상을 확인하였다.en_US
dc.description.sponsorship이 논문은 2016년도 정부 (미래창조과학부)의 재원으로 정보통신기술진흥센터의 지원을 받아 수행된 연구임 (No. R7117-16-0232, 32Gbps 데이터 서비스를 위한 익스트림 스토리지 입출력 기술 개발)en_US
dc.language.isoko_KRen_US
dc.publisher한국정보과학회en_US
dc.titleUFLRU: 비휘발성 메모리와 플래시 메모리의 계층 구조를 위한 영속 객체 스와핑 알고리즘en_US
dc.title.alternativeUFLRU: Swapping for Non-Volatile Memory and Flash Memoryen_US
dc.typeArticleen_US
dc.relation.page1478-1479-
dc.contributor.googleauthor노연진-
dc.contributor.googleauthor유진수-
dc.contributor.googleauthor이성진-
dc.contributor.googleauthor원유집-
dc.contributor.googleauthorNoh, Yeonjin-
dc.contributor.googleauthorYoo, Jinsoo-
dc.contributor.googleauthorLee, Seongjin-
dc.contributor.googleauthorWon, Youjip-
dc.sector.campusS-
dc.sector.daehakCOLLEGE OF ENGINEERING[S]-
dc.sector.departmentDEPARTMENT OF COMPUTER SCIENCE-
dc.identifier.pidyjwon-
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COLLEGE OF ENGINEERING[S](공과대학) > COMPUTER SCIENCE(컴퓨터소프트웨어학부) > Articles
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