Repository at Hanyang UniversityCOLLEGE OF ENGINEERING[S](공과대학)ELECTRONIC ENGINEERING(융합전자공학부)Articles
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멀티 레벨 셀 NAND 플래시 메모리의 셀 간 간섭 영향을 감소시키기 위한 문턱 전압 제어 방법
- Title
- 멀티 레벨 셀 NAND 플래시 메모리의 셀 간 간섭 영향을 감소시키기 위한 문턱 전압 제어 방법
- Other Titles
- The Threshold Voltage Control Method for Mitigating Cell-to-Cell Interference in Multi-Level Cell NAND Flash Memory
- Author
- 신동준
- Keywords
- 낸드플래시메모리; 문턱전압제어
- Issue Date
- 2012-11
- Publisher
- 한국통신학회 / Korea Institute Of Communication Sciences
- Citation
- 한국통신학회 학술대회논문집, Vol.2012 No.11 [2012], pp.79-80(2쪽)
- Abstract
- 본 논문은 2-비트 4-레벨 셀 NAND 플래시 메모리에서 발생하는 인접 셀 간섭으로 인한 심벌 오류를 낮추기 위한 문턱 전압 제어 기법을 소개한다. 특정 셀의 프로그램 상태의 전압 분포를 가우시안 mixture로 가정하고, 인접 셀 간섭을 확률 모델링한다. 확률 모델을 이용하여 셀 간섭이 발생한 후의 문턱 전압을 우도(likelihood) 함수를 이용하여 찾아 문턱 전압 제어에 이용하여 셀 간섭 후 발생하는 오류를 최소화 한다.
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