Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 문승재 | - |
dc.date.accessioned | 2018-03-17T06:00:06Z | - |
dc.date.available | 2018-03-17T06:00:06Z | - |
dc.date.issued | 2012-08 | - |
dc.identifier.citation | 대한기계학회논문집, 2012, 36(10), P.1019~1023, 5P. | en_US |
dc.identifier.issn | 1225-5963 | - |
dc.identifier.issn | 1226-4881 | - |
dc.identifier.issn | 2288-5324 | - |
dc.identifier.uri | http://koreascience.or.kr/article/ArticleFullRecord.jsp?cn=DHGGDU_2012_v36n10_1019 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11754/48344 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 새로운 알루미늄 유도 결정화 공정을 제안하였다. 알루미늄 박막에 직접 3 A의 정전류를 인가하여 $1cm{\times}1cm$ 넓이의 두께 200 nm 비정질 실리콘 박막을 수십 초 내에 결정화하는 방법이다. 결정화된 다결정 실리콘 박막은 520 $cm^{-1}$ 에서의 라만 분광 피크를 통해 확인할 수 있었다. 공정 후, 알루미늄이 식각된 다결정 실리콘 박막은 다공성 구조임을 SEM 을 통하여 확인할 수 있었다. 또 한, 이차이온질량분석(secondary ion mass spectroscopy)에서 알루미늄 농도가 $10^{21}cm^{-3}$으로 헤비 도핑된 것을 확인 할 수 있었으며, 실시간으로 측정된 열화상 카메라의 결과를 통해 결정화는 820 K 근처에서 일어나는 것을 확인할 수 있었다.In this research, a novel direct-aluminum-heating-induced crystallization method was developed for the purpose of application to solar cells. By applying a constant current of 3 A to an aluminum thin film, a 200-nm-thick amorphous silicon (a-Si) thin film with a size of $1cm{\times}1cm$ can be crystallized into a polycrystalline silicon (poly-Si) thin film within a few tens of seconds. The Raman spectrum analysis shows a peak of 520 $cm^{-1}$, which verifies the presence of poly-Si. After removing the aluminum layer, the poly-Si thin film was found to be porous. SIMS analysis showed that the porous poly-Si thin film was heavily p-doped with a doping concentration of $10^{21}cm^{-3}$. Thermal imaging shows that the crystallization from a-Si to poly-Si occurred at a temperature of around 820 K. | en_US |
dc.description.sponsorship | 본 연구는 교육과학기술부의 지원을 받아 “전열법을 이용한 태양전지용 실리콘 박막의 레이저 결정화 및 도핑 연구”의 일환으로 진행되었습니다. | en_US |
dc.language.iso | ko_KR | en_US |
dc.publisher | 대한기계학회 | en_US |
dc.subject | 태양전지 | en_US |
dc.subject | 알루미늄 유도 결정화 | en_US |
dc.subject | p형 반도체 | en_US |
dc.subject | 다공성 실리콘 | en_US |
dc.subject | 열화상 카메라 온도 | en_US |
dc.subject | Solar Cell | en_US |
dc.subject | Aluminum Induced Crystallization | en_US |
dc.subject | P-Doped Silicon | en_US |
dc.subject | Porous Silicon | en_US |
dc.subject | Thermal Imaging | en_US |
dc.title | 비정질 실리콘 박막의 알루미늄 직접 가열 유도 결정화 공정 | en_US |
dc.title.alternative | Direct-Aluminum-Heating-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film | en_US |
dc.type | Article | en_US |
dc.identifier.doi | 10.3795/KSME-B.2012.36.10.1019 | - |
dc.relation.page | - | - |
dc.relation.journal | 대한기계학회논문집 B | - |
dc.contributor.googleauthor | 박지용 | - |
dc.contributor.googleauthor | 이대건 | - |
dc.contributor.googleauthor | 문승재 | - |
dc.contributor.googleauthor | Park, Ji-Young | - |
dc.contributor.googleauthor | Lee, Dae-Geon | - |
dc.contributor.googleauthor | Moon, Seung-Jae | - |
dc.relation.code | 2012100289 | - |
dc.sector.campus | S | - |
dc.sector.daehak | COLLEGE OF ENGINEERING[S] | - |
dc.sector.department | DIVISION OF MECHANICAL ENGINEERING | - |
dc.identifier.pid | smoon | - |
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