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1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물 구조전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향

Title
1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물 구조전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향
Other Titles
Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators
Author
심종인
Issue Date
2000-09
Publisher
대한전자공학회
Citation
전자공학교육연구회지, v. 37, no .9, page. 15-22
Abstract
1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물주고 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상과 입력광 세기가 소광특성에 미치는 영향을 조사하였다. 포와송 방정식과 전자 및 정공의 전류 연속방정식, 광분포들을 양자우물에서의 전게강도에 따른 흡수계수들을 고러하여 self-consistent하게 해석하였다. 이종접합계면에서의 캐리어의 축적 및 광도파로영역에서의 공간전하에 의한 전계차폐 현상은 입사광 파워가 증가할 수록 입사단 영역에서 심하게 나타남을 알 수 있었다. 캐리어의 전계차폐에 의한 소광비 저감은 변조기가 길이가 200㎛정도로 긴 경우에는 입사광 파워가 약 10mW이상에 대해서 심하게 나타날 수 있음을 알 수 있었다. 이러한 캐리어의 전계차폐에 따른 소광비 특성열화는 특히 입사광 파워가 클 수 있는 1..55㎛ DFB-LD와 전계흡수형 광변조기 집적소자나 광변조기 길이가 수십 ㎛로 짧은 초고속 광흡수변조기의 경우에 더욱 심하게 나타날 수 있음을 지적하였다.
URI
https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE00404790https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/162855
ISSN
1229-6368
Appears in Collections:
COLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E](과학기술융합대학) > PHOTONICS AND NANOELECTRONICS(나노광전자학과) > Articles
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