갈륨-비소 반도체 소자의 단전자 수송에 관한 몬테칼로 시늉내기

Abstract

본 논문에서는 two valley model(Г-L) single-electron Monte Carlo(SMC) method를 사용하여 GaAs의 격자 온도 변화, 전기장, 불순물 농도에 따른 전자 전송 특성(속도, 에너지, velly 점유율)을 조사함으로써 반도체(GaAs)내부의 물리적인 정보를 얻었다. 산란 과정으로는 polar optical phonon(POP), non-POP, acoustic phonon, ionized impurity 산란이 고려되었고, Monte Carlo method의 유일한 단점인 긴 계산 시간을 줄이기 위하여 fast self scatterning method를 적용하였다.

In this paper, the electron transport characteristics of velocity, energy and valley occupancy have been investigated as a function of various parameters, such as lattice temperatures, electric fields, or impurity concentrations by using 'two valley model(Г - L) in GaAs single-electron Monte Carlo(SMC) method'. We have considered scattering due to polar optical phonons(POP), non-POP, acoustic phonons and ionized impurities. In order to reduce CPU time, which is a crucial point in the Monte Carlo method, a fast self-scattering method has been applied.