Electronic transport studies of nanostructure memory devices

Abstract

나노미터 크기의 메모리 소자에서 발생하는 전기적인 전송현상을 이론적으로 실험적으로 연구하였다. 전기적인 전송현상의 대부분은 두 전자상태 사이의 헤밀토니안에 의해서 기술된다. 나노미터 크기의 메모리 소자에서 나타나는 새로운 물리현상을 이해하기 위해서는 나노 메모리 소자 구조의 전자 상태, 전하 전송 현상, 그리고 소자의 구조 설계에 이르는 종합적인 이해가 필요하다. 이런 현상을 자세히 연구하기 위해서 나노 메모리 소자구조의 전자 상태를 계산하는 수치해석 프로그램과 전하전송 현상을 기술 할 수 있는 소자 시뮬레이션 프로그램을 논문 연구를 통해서 개발하였다. 이와 함께 정전기력 현미경을 사용해서 나노 플래시 메모리 소자의 부유 게이트 구조에 대한 전기적인 전송 현상을 연구하였다.; We have investigated the electronic transport phenomena in nanostructure memory devices both theoretically and experimentally. Almost all interactions in the electronic transport of semiconductor nanostructures are given by the coupling Hamiltonian between the two electronic states representing electron localization. Systematic research of the electronic states in nanostructure devices for carrier behavior and memory devices structure design is necessary for detailed interpretation of the electronic transport phenomena in a nanometer scale. For this thesis research, several numerical simulation programs have been developed to investigate the electronic states and carrier behavior in nanostructure memory devices. Experimental approaches with electrostatic force microscopy (EFM) have been developed as well.