TCAM 구현 및 TCAM 셀의 NBTI 하의 성능분석

Abstract

공정기술의 발달은 집적도의 향상을 가져왔지만 기생성분과 간섭 등에 의한 현상으로 디바이스의 신뢰성은 보장하기 점차 어려워지고 있다. 또한 여러 개의 현상들이 동시에 발생할 경우 이를 분석하기는 더 어렵다. 이 논문에서는 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 셀 내부에 발생 할 수 있는 NBTI(Negative Bias Temperature Instability) 와 그라운드바운스 (Ground Bounce)가 동시에 일어났을 상황에 대한 모델링과 실험결과를 통한 분석을 제공한다. TCAM 셀의 성능 실험과 SNM(Static Noise Margin)을 측정하여 NBTI 영향 하에서의 TCAM 셀의 성능감소는 전력선에 존재하는 기생 인덕턴스 성분으로 인해 발생할 수 있는 그라운드바운스에 의해 감소될 수 있음을 보였다.; A growth of semiconductor process technology has increased high integration, but the reliability of device has been difficult to guarantee by parasitic parameter and interference. And if various conditions happen simultaneously, it becomes more complicated to analyze. This paper presents noble insights of the combined effects of NBTI (Negative Bias Temperature Instability) and ground bounce in TCAM cells. Experimental results show that the performance degradation and SNM reduction of TCAM cells under NBTI impacts can be possibly reduced by the ground bounce due to the parasitic inductance on power signals.