극자외선 노광에서의 최적화 공정 조건 추출

Abstract

초고집적화를 위한 패턴 형성에서 선폭이 작아져야 하는 것은 반드시 이루어내야 하는 필수 조건이다. 이를 위해, 가장 쉬운 방법으로 리소그래피 공정에서 사용되어지는 광원의 파장을 짧게하는 방법이 사용되었다. 그리하여 처음에 G-line(436 nm), I-line(365 nm), KrF(248 nm), ArF(193 nm), F(157 nm) 를 사용하다가 현재는 극자외선 (Extreme UV, EUV, 13.4 nm) 를 사용하는 방법에 대해 한창 연구가 진행중이다. 레이져의 파장이 변화함에 따라 많은 부분이 달라졌다. 그리하여 시뮬레이션을 통하여 미리 문제점들에 대해 파악하고 해결책을 찾는 것이 중요하다. 이 논문에서는 EUV 리소그래피에서 어떤 공정 요소들을 어떻게 다뤄야 되는지에 대해 알아볼 것이다. EUV 공정 요소로써 반사도, 입사각, 조명계, flare, 산확산길이, resist 변수 등을 제시하여 각각의 변수들이 선폭 형성에 미치는 영향과 각각의 변수들의 변화에 따른 결과의 차이를 통해 보다 정확한 이해를 하려고 하였다. EUV 공정 요소의 이해를 통해 최적화 공정 조건을 찾을 수 있고, 이것은 성공적인 EUV 패터닝을 가능하게 할 것이다.