저장장치를 위한 연접부호화 기법의 성능 분석

Abstract

DRAM, 플래쉬 메모리 등의 저장 장치는 다양한 전자제품에 널리 이용되면서 높은 메모리 집적도가 요구되고 있으며 멀티 레벨로 데이터를 저장하는 단계에 이르렀다. 그 결과 데이터의 오류율은 더 높아지게 되었다. 본 논문에서는 저장 장치에 적합하도록 높은 부호율에서 낮은 비트 오류율(BER)을 만족시키는 오류정정부호 기법을 제안한다. 지금까지 주로 통신시스템에서 사용된 오류정정부호는 높은 복잡도와 낮은 부호율 때문에 저장 장치에 적용하기에는 부적합하다. 뿐만 아니라 저장 장치에 사용되는 부호는 저 복잡도가 요구되기 때문에 무엇보다 천공 부호의 성능이 우수해야 한다. 천공 비트가 많은 경우에도 성능이 우수한 길쌈 부호를 제시하고, 이것을 최적의 BCH 부호와 연접한 부호를 제안하였다. 제안된 연접부호는 저 복잡도를 만족하면서 동시에 목표 부호율과 BER을 달성하는 것을 확인하였다.; Storage devices such as DRAM, flash memories which are widely used in various electronic products that require high-density memory and the data has been stored in multi-level. As a result, data error rate became higher. In this thesis, we propose error correcting coding scheme satisfying low bit error rate error at high code rate for matching it to storage devices. Until now, mainly used error correcting code in the communications system is not suitable for the storage devices because of its high complexity and low code rate. In addition, due to the storage devices are required low complexity, it should be used the punctured code providing a good performance. We have presented convolutional code structures having a good performance although there are too many punctured bits and proposed concatenated codes which are combined with proposed optimal BCH code. It is conformed that proposed concatenated codes achieve target code rate and target BER in addition to satisfying low complexity.