MBE법으로 Si 기판 위에 성장한 AlGaSb, In: AlGaAsSb buffer layers의 Electrochemical Capacitance-Voltage 프로파일링

Abstract

GaAs와 Si 기판위에 성장한 Sb 기반 화합물은 최근 빠른 스피드의 나노소자와 광전자공학의 최신 응용에 많은 이목을 끌고 있다. 그러나 산소와 극도로 밀접한 관계가 있고, 뜻하지 않는 불순물 농도를 조절하지 못하는 AlSb과 같이 밴드갭이 큰 Sb 화합물은 완충물질로 적합하지 않다고 보고되어 있다. 그러므로, self-assembled dislocation blocking (SADB) layers의 사용과 In과 As를 첨가함에 의해 Si 기판 위에 양질의 AlGaSb와 InAlGaAsSb buffer layers를 성장하였다. 그리고 EC-V 측정을 통하여 특성을 기술하였다. 그 결과, 작은 양의 인듐을 첨가하고, SADB layers를 사용한 AlGaSb buffer layer가 반-절연하다는 것과 함께 carrier concentration이 급격히 줄어들었다는 알 수 있었다.; Epitaxial growth of Sb-based compounds on GaAs and Si substrates is recently attracted a much attention for the use of high-speed nano-devices and emerging application in optoelectronics. There is, however, no adequate buffer materials reported since the wide-bandgap Sb compounds such as AlSb are extremely affinitive to oxygen and the unintentional impurity concentration is hard to control. We have demonstrated an efficient method of obtaining a high quality AlGaSb and InAlGaAsSb buffer layers on Si substrates by using self-assembled dislocation blocking (SADB) layers and incorporation of In and As, and they are characterized by EC-V measurements. The small incorporation of indium into the AlGaSb buffer layer and using SADB layers results in semi-insulating behavior with greatly reduced carrier concentration.