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Metal nanocrystal 특성에 따른 저분자 유기 비휘발성 메모리 특성 연구

Title
Metal nanocrystal 특성에 따른 저분자 유기 비휘발성 메모리 특성 연구
Other Titles
Small-molecule nonvolatile memory characteristics by metal nanocrystal properties
Author
이상이
Advisor(s)
박재근
Issue Date
2010-02
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
최근, 디지털 기술의 발전과 인터넷 보급이 활성화되면서 PC 뿐만 아니라 모든 단말기가 네트워크에 상시 접속되어, 누구든지 시간과 장소에 제약이 없이 다양한 서비스를 제공 받을 수 있는 유비쿼터스 환경의 사회로의 진입이 가시화되고 있다. 현대 사회가 고도의 디지털 정보화 시대로 접어들면서 정보 저장기술이 핵심기술 분야로 각광받고 있는데 그 중 핵심 기술 중의 하나는 차세대 메모리 분야이다. 현재 메모리 시장 중 DRAM은 55%, 플래시 메모리는 35%를 차지하고 있으며, 이들 두 메모리가 전체 메모리 시장을 양분하고 있다. DRAM은 cost 및 random access가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 휘발성이라는 단점을 가지고 있으며, 플래시 메모리는cost 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있으나 random access가 불가능하다는 단점을 보유하고 있다. 이러한 단점을 보완한 차세대 메모리 소자로 PRAM, MRAM, ReRAM, PoRAM 등이 활발히 연구 되고 있다. 본 논문은 연구한 PoRAM 가운데 하나인 저분자 유기 비휘발성 메모리 소자에 있어 metal nanocrystals가 메모리 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 그 중 Deep Fermi Level을 갖는 Ni, Cu, Ti를 이용하여 소자를 제작하여 전기적 특성 및 물리적 화학적 분석을 실시하였다. 소자는 in-situ 공정으로 Al electrode / Small-molecule organic (Alq3) / 산화막으로 coating 된 Metal nanocrystals / Small-molecule organic (Alq3) / Al electrode 의 구조로 제작하였으며 메모리 특성을 분석하기 위해 전기적 특성 분석을 실시한 후에 TEM (Transmission electron microscope), AES (Auger electron spectroscopy), XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) 등의 분석 장비를 이용하여 물리적, 화학적 분석을 시행하였다. 이를 통해 metal nanocrystal 층에서 O2 plasma oxidation 방법을 이용해 metal nanocrystal 층을 oxidation 시킬 때 일정한 간격에 균일한 크기의 nanocrystal 형성과 터널링 barrier 역할을 하는 산화막의 형성이 메모리 특성에 중요한 영향을 미친다는 것을 알 수 있었다.
URI
http://dcollection.hanyang.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000057086https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/143100
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GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > NANOSCALE SEMICONDUCTOR ENGINEERING(나노반도체공학과) > Theses (Master)
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