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후열처리 효과로 인한 SWNT 탑게이트 트렌지스터의 전기적 특성 변화

Title
후열처리 효과로 인한 SWNT 탑게이트 트렌지스터의 전기적 특성 변화
Other Titles
Post-Annealing effect on the electrical properties of top-gated SWNT network transistors
Author
민신철
Alternative Author(s)
Min, Shin Cheol
Advisor(s)
박완준
Issue Date
2010-08
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
1991년 Iijima가 발견한 carbon nanotube(CNT)는 뛰어난 전기적, 물리적 특성 때문에 큰 주목을 받았다. CNT는 크기가 나노재료에 합당하며, 전기적으로 매우 좋은 도체이고, 좋은 열전달 물질이다. 또한 결합강도가 높아 인장강도가 고강도 합금에 비해 우수하며, 허용 전류밀도가 금속보다 크다. 이런 뛰어난 특성으로 인해 logic, memory, sensor, display 등 다양한 전자소자에 연구되고 있다. 탄소나노튜브소자는 기존에 존재하는 소자의 개념을 유지하고, 기존소자의 한계기술을 극복할 수 있을 것으로 기대하며 연구되고 있다. 그러나 금속성과 반도체성 CNT의 공존으로 원하는 성질만을 분리하거나 성장시키기가 어려우며, 촉매에 의한 성장 등으로 원하는 위치에만 정렬하기가 어렵다. 그러나 Cat-PR 사용과 PECVD CNT 성장으로 이를 극복하고 있다. 그러나 아직도 CNTFET에서 안정적이며 원하는 type 소자를 제작하는 어려움이 있다. Doping에 의한 type 변화를 하지만 defect 발생 등으로 field effect mobility 감소를 야기한다. 다른 방법으로 alkali metal에 흡착을 시도하지만 시간이 지남에 따라 다시 원상태로 돌아오는 문제점이 있다. 또한 organic/inorganic 물질을 사용하여 charge transfer를 이용한 방법은 열적 안정성이 떨어진다. 본 논문에서는 간단한 ALD 공정조건의 제어를 통해 원하는 type의 SWNT top-gated network transistor를 제작하였고, 또한 제작한 transistor의 post-annealing을 통해 type의 변화를 확인하였다. 이를 통해 우리는 안정적인 n-type과 p-type의 top-gated SWNT network transistor를 확보할 수 있다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/141055http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000415620
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GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > ELECTRONICS AND COMPUTER ENGINEERING(전자컴퓨터통신공학과) > Theses (Master)
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