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발광다이오드의 전기 광학적 성능 변화에 기초한 고장 모드 분석에 관한 연구

Title
발광다이오드의 전기 광학적 성능 변화에 기초한 고장 모드 분석에 관한 연구
Other Titles
Failure Mode Analysis based on the Optoelectronic Performance Characterization in Light Emitting Diodes
Author
염혜승
Alternative Author(s)
Yeom, Hye Seung
Advisor(s)
심종인
Issue Date
2011-02
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
현재 InGaN/GaN계 다중양자우물 (Multiple Quantum Well, MQW) 발광다이오드 (Light-Emitting Diodes)에서의 큰 이슈 중 하나인 효율 저하 (Efficiency droop) 현상의 원인 규명을 위하여 주입 전류량의 변화에 따른 내부양자효율 (Internal Quantum Efficiency, IQE) 및 발광 스펙트럼의 변화를 측정하는 실험을 하고 각 실험 결과들의 물리적 의미와 상관 관계를 분석하였다. 또한 청색 발광다이오드 패키지의 과전압 (Overvoltage) 인가 스크리닝 시험 (Screening test)을 하여 시험 전•
후 발광다이오드의 전류-전압 특성, 내부양자효율, 발광 스펙트럼을 측정하여 성능 변화를 분석하였고, 고장 시간 및 고장 개수를 통계 처리하여 평균 고장률 (Mean failure rate) 및 평균 수명 (Mean time to failure, MTTF)을 계산하였다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/139570http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000416320
Appears in Collections:
GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > ELECTRONIC,ELECTRICAL,CONTROL & INSTRUMENTATION ENGINEERING(전자전기제어계측공학과) > Theses (Master)
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