발광다이오드의 전기 광학적 성능 변화에 기초한 고장 모드 분석에 관한 연구

Abstract

현재 InGaN/GaN계 다중양자우물 (Multiple Quantum Well, MQW) 발광다이오드 (Light-Emitting Diodes)에서의 큰 이슈 중 하나인 효율 저하 (Efficiency droop) 현상의 원인 규명을 위하여 주입 전류량의 변화에 따른 내부양자효율 (Internal Quantum Efficiency, IQE) 및 발광 스펙트럼의 변화를 측정하는 실험을 하고 각 실험 결과들의 물리적 의미와 상관 관계를 분석하였다. 또한 청색 발광다이오드 패키지의 과전압 (Overvoltage) 인가 스크리닝 시험 (Screening test)을 하여 시험 전• 후 발광다이오드의 전류-전압 특성, 내부양자효율, 발광 스펙트럼을 측정하여 성능 변화를 분석하였고, 고장 시간 및 고장 개수를 통계 처리하여 평균 고장률 (Mean failure rate) 및 평균 수명 (Mean time to failure, MTTF)을 계산하였다.