Repository at Hanyang UniversityGRADUATE SCHOOL[S](대학원)ELECTRONICS AND COMPUTER ENGINEERING(전자컴퓨터통신공학과)Theses (Master)
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 유창식 | - |
| dc.contributor.author | 최용재 | - |
| dc.date.accessioned | 2020-03-06T16:33:10Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-06T16:33:10Z | - |
| dc.date.issued | 2013-02 | - |
| dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/133401 | - |
| dc.identifier.uri | http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000420777 | en_US |
| dc.description.abstract | 새롭게 제안된 3.3V fail-safe I/O 회로는 새로운 바이어스 생성회로를 이용하여 gate driver 전압을 만들어주며, 이를 통하여 CMOS gate의 과전압을 방지하여 gate-oxide reliability를 확보하였다. 또한, 새로운 n-well 바이어스 전압 발생기를 사용하여 junction leakage current의 발생을 최소화하였다. Parasitic capacitance에 의한 동작 속도가 느려지는 문제를 제안된 회로를 통하여 개선하였다. 45nm CMOS 공정을 이용하여 설계를 수행하였다. | - |
| dc.publisher | 한양대학교 | - |
| dc.title | 45-nm 공정에서의 fail-safe 3.3-V I/O 패드 | - |
| dc.type | Theses | - |
| dc.contributor.googleauthor | 최용재 | - |
| dc.sector.campus | S | - |
| dc.sector.daehak | 대학원 | - |
| dc.sector.department | 전자컴퓨터통신공학과 | - |
| dc.description.degree | Master | - |
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