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SRAM 셀의 커플링 커패시터에 의한 신뢰성 영향과 테스트 방법

Title
SRAM 셀의 커플링 커패시터에 의한 신뢰성 영향과 테스트 방법
Other Titles
Reliability Effect and Test Method of Capacitive Defects in SRAM Cells
Author
배종선
Alternative Author(s)
Jongsun Bae
Advisor(s)
백상현
Issue Date
2013-02
Publisher
한양대학교
Degree
Doctor
Abstract
메모리 밀도 증가와 반도체의 크기가 감소되는 만큼 인접한 메모리 셀 사이의 물리적 거리가 빠른 속도로 감소된다. 좁아진 간격으로 인해서 셀 커플링 커패시터 (CCCP)라고 하는 인접한 메모리 셀 간의 커패시턴스가 증가하여 크로스토크의 소스로 동작한다. 크로스토크는 동작 속도가 빨라질수록 가중될 수 있다. CCCP의 크기가 마진 범위 안에 있을 경우, 일반적인 테스트 패턴에 의해 검출되지 않을 수 있지만, 다양한 스트레스가 누적되면 나타날 수 있다. 만약 초기 생산 단계에 감지되지 않는다면, CCCP는 메모리의 성능과 신뢰성을 저하시키며, 간헐적인 고장의 원인이 된다. CCCP를 검출하기 위해 복잡한 테스트 환경을 만드는 것은 많은 테스트 비용이 요구되어 테스트에서 제외될 수 있다. 본 논문은 네거티브 전압 스트레스 (NVS)를 비트라인에 인가해서 마진 범위의 CCCP를 테스트하는 것을 제안한다. 제안된 방법은 NVS와 CCCP의 상호관계를 통해서 잠재적인 문제를 진단 할 수 있다. 시뮬레이션 결과는 네거티브인 전압 스트레스를 이용한 실험에서 수 [fF]에서 수 십 [fF]의 CCCP를 진단이 가능함을 보여 주었다. 제안된 테스트 회로는 CMOS 130nm 공정을 사용하여 만들어진 칩을 통해서 검증하였다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/133391http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000421000
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GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > ELECTRONIC,ELECTRICAL,CONTROL & INSTRUMENTATION ENGINEERING(전자전기제어계측공학과) > Theses (Ph.D.)
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