GaN 소자의 AC특성 측정회로 연구

Abstract

본 논문에서는 GaN 소자의 AC특성 측정회로 연구에 대해 논하였다. GaN 소자는 구조적으로 Normally-on 과 Normally-off 두 가지 소자로 구분된다. Normally-on 소자는 Negative Vgs(th)를 가지며 Normally-off 소자는 positive Vgs(th)를 가진다. 따라서 두 종류의 소자를 스위칭 하기 위한 Gate 구동 회로는 서로 다르게 구성되어야 한다. 본 논문에서는 Normally-off 소자를 위한 드라이브 IC로 두 종류의 소자가 모두 스위칭이 되는 것을 확인하였다. 또한 일반적인 스위칭 테스트 회로에서는 RDS(on) 측정 시에 부하저항의 용량에 따른 문제가 발생하기 때문에 저항이 없는 스위칭 테스트 회로를 고안하고 제작함으로써 고전압에서도 저항 용량의 문제없이 RDS(on)측정이 가능하다는 것을 입증하였다. 또한 discrete 소자를 이용하여 cascode 회로를 제작 및 실험하여 기생성분들을 고려한 GaN 소자와 Si 소자가 같이 package가 된다면 좋은 특성을 가진 cascode GaN 소자가 될 것을 확인하였다.