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ICP-CVD 방법으로 증착한 low hydrogen content amorphous silicon

Title
ICP-CVD 방법으로 증착한 low hydrogen content amorphous silicon
Author
김정국
Advisor(s)
오재응
Issue Date
2013-08
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
평판 디스플레이 시장 1990년대 후반부터 본격적인 상품화가 되면서, 패널 가격의 급격한 하락으로 노트북 PC용 디스플레이 시장의 성장률이 크게 둔화된 대신, 휴대용 정보기기의 고속 성장과 더불어 이에 탑재되는 디스플레이의 고성능화 및 경량 박형화에 대한 요구가 증가하고 있다. 이러한 조건을 만족시킬 수 있는 차세대 디스플레이 응용분야의 기술이 비정질 실리콘(a-Si) TFT, LTPS TFT 제조 기술이다. LTPS TFT 기술은 LCD 구동에 필요한 driver IC를 유리기판 위에 집적하는 것이 가능하다는 장점이 있고, 비정질 실리콘 TFT은 양산 기술의 성숙으로 간단하고 빠르게 높은 수율로 우수한 TFT-LCD 제품이 생산될 수 있다는 장점이 있다. 본 연구의 목표는 비정질 실리콘을 증착한 후, 결정화 공정을 통하여 LTPS를 만들어 비정질 실리콘 TFT와 LTPS TFT 기술의 장점을 모두 갖는 film을 증착하는 것이다. 결정화 공정이란 비정질 구조의 Si은 원자들이 이동할 수 있는 에너지가 가해지면 결정질 Si으로 전이하게 되는데, 이때 모든 원자들이 규칙적으로 배열되는 단결정 Si의 전이는 불가능하고 국부적으로 결정질 실리콘으로 바뀌는 것을 말한다. 따라서, 본 연구에서는 LTPS를 만들기 위해 레이저 처리(결정화 공정)를 거치는 비정질 실리콘을 증착하고자 한다. 레이저 처리 공정 시에 비정질 실리콘 내의 H 함량이 많으면 레이저의 에너지로 인해 H 변형으로 생겨 film이 벗겨지는 현상이 발생한다. 그래서 이 연구를 통해 비정질 실리콘의 H 함량을 최소화 시키는 공정 조건을 찾아 레이저 처리 공정 과정에서 film이 벗겨지는 문제없이 LTPS를 만드는 것이다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/133185http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000422243
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