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반도체 웨이퍼 범핑에 사용되는 주석-은 합금 도금액의 전류밀도별 특성

Title
반도체 웨이퍼 범핑에 사용되는 주석-은 합금 도금액의 전류밀도별 특성
Other Titles
The current density characteristics of the Sn-Ag alloy plating solution used for the semiconductor wafer bumping
Author
이성준
Alternative Author(s)
Lee, Seong Joon
Advisor(s)
박융호
Issue Date
2016-02
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
정보통신과 디지털 기술의 발전으로 높은 주파수 영역에서 사용되고 빠른 데이터 처리속도를 가지는 새로운 재료, 부품 및 모듈, 기판에 대한 니즈가 커지고 있다. 이런 배경하에서 IC Chip을 패드상에 전기적으로 접속시킬 수 있도록 최근 개발되어진 방법이 웨이퍼 상에 형성된 작은 전기 접점용 돌기(범프)에 의한 접점 기술이다. 범프의 레지스터 패턴의 형성에는 여러 가지 방법이 채용되어 있으나, 금속 마스크를 사용하는 증착법이나 인쇄법 또는 볼 탑재법으로는 범프 간격 폭이 200㎛ 이하의 협 피치화에 대응을 할 수 없기 때문에 40㎛ 이하의 협 피치화에 대응하기 위해서는 포토레지스트(Photoresistor)를 사용한 도금법으로 범프의 형성이 이루어진다. 실제로는 솔더, 동, 니켈, 금 및 이들의 복합체가 사용되고 있다. 이에 반도체 웨이퍼 범핑에 사용되는 합금도금의 특성을 파악하여 반도체 웨이퍼 도금에 사용되어지는 주석-은 합금 범핑을 구현하였다. 앞으로 점점 많은 정보를 빠른 속도로 주고받아야 하는 필요성이 커짐에 따라서 와이어리스패키지의 수요는 증대될 것이며 이에 따라 향후 솔더페이스트, Solder Ball, 도금용액과 같은 범핑 재료시장등과 같은 플립칩용 재료시장이 크게 성장할 것으로 예상된다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/127280http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000428451
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GRADUATE SCHOOL OF ENGINEERING TECHNOLOGY[E](공학기술대학원) > INDUSTRIAL CHEMISTRY AND CHEMICAL ENGINEERING(산업화학·화학공학과) > Theses (Master)
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