Dielectric barrier characteristics of Si-rich silicon nitride films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition

Abstract

본 연구에서 증착 된 PEALD SiNx 는 PECVD SiCN과 비슷한 수준의 낮은 유전상수 값을 가지면서도 PECVD SiNx 와 유사한 장벽막 특성을 가짐을 알 수 있었다. 이는 더욱 미세화되는 배선 공정에서 요구되는 낮은 두께의 절연체 장벽막에 PEALD SiNx가 PECVD SiCN와 유사한 수준의 낮은 유전상수를 가지면서도 우수한 장벽막 특성을 가지고 있어 PECVD SiCN을 대체 할 수 있음을 시사한다.