IGZO 박막 트랜지스터에서 금 나노 입자에 의한 시냅스 특성 구현에 관한 연구

Abstract

사람의 뇌 또는 생물학적 시냅스 특성을 모방하려는 연구가 소자 단위에서부터 시스템칩에 이르기까지 다양한 수준에서 이뤄지고 있다. 전력 소비를 줄이고 동작 속도를 증가시키기 위해 phase change memory나 nanoparticle organic memory field effect transistor 같은 소자수준의 연구가 지속되고 있다. 본 연구에서는 상부에 Au 나노 입자를 증착한 IGZO박막 트랜지스터를 제작하여 시간에 따른 pulse 전류 특성과 문턱전압의 이동을 관찰하였다. Au 나노 입자의 전하 포획 특성에 의해 문턱전압 이동 특성이 보였고, pulse 측정에서는 양의 전압을 인가함으로 programing 과정을 거친 후에 facilitating 경향이 보였으며, 음의 전압 인가로 erasing 과정을 거친 후 depressing 경향이 보였다.