SiO2 film quality enhancement by using ALD for TSV liner application

Abstract

Direct plasma ALD방식을 이용함으로써 고품질 SiO2 박막을 구현 하였다. SiO2 박막은 높은 항목전압, 낮은 누설전류 와 HF chemical에서의 고 선택비, 낮은 유전율과 같은 전기적 특성 덕분에 휼륭한 유전물질로 각광 받고 있다. ALD를 이용한 고품질 SiO2 film은 향후 device가 더욱더 shrinkage가 되고 3차원 device에서 liner, gapfill, patterning 등의 application으로 사용이 가능할 것으로 예상 되어 진다.